台灣團隊研發出全球首創「夢幻記憶體」 登上最新國際頂尖期刊證明實力

台灣團隊研發出全球首創「夢幻記憶體」 登上最新國際頂尖期刊證明實力

2019年03月19日

清華大學工學院長賴志煌與物理系教授林秀豪,帶著博士生林柏宏、楊博元組成了跨領域團隊,成功研發出夢幻磁性記憶體「MRAM」的核心技術,目前相關研究已經登上了國際期刊「自然材料」。

娛樂城

 

 

▼根據《自由時報》的報導,研究團隊成功透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉,不僅有助於擴大記憶體容量,而且即使斷電資料也不會消失。未來採用磁性記憶體的手機、平板,待機時間可延長至少一倍以上。

台灣團隊研發出全球首創「夢幻記憶體」 登上最新國際頂尖期刊證明實力

 

目前的半導體業使用的動態隨機存取記憶體「DRAM」較為耗電,體積也已經達到縮小的極限,國際大廠英特爾、三星、台積電近年都紛紛投入「MRAM」的開發,如今清華團隊更找到了當中的關鍵核心技術,業界預估今年將會有高密度的「MRAM」量產外,也有助於磁性記憶體容量的擴大。

 

▼林秀豪解釋了「MRAM」運作的原理,原來電子除了帶電荷以為還具有自旋特性,當電子自轉時會產生極微小的磁矩,就像在晶片上形成千萬個微小的磁鐵,可以藉由小磁鐵的北極向上或向下來決定0與1的記憶,因此,不運算時就不必供電,且就算運算到一半斷電,資料也不會消失。

台灣團隊研發出全球首創「夢幻記憶體」 登上最新國際頂尖期刊證明實力

 

 

 

林柏宏也說明了「MRAM」處理資料的方式,是透過電子自旋流來控制磁鐵向上或向下的方向,翻轉磁鐵來處理資料,過去因為室溫下熱能會讓磁鐵震動,磁鐵太小的時候就會抵抗不住熱能隨機翻轉,所以在上方加上反鐵磁,就像夾子一樣固定住,但是又造成翻轉困難,只能靠升高溫度並搭配大磁場才能翻轉。

 

▼來看看這項技術的解說影片吧:(影片來源:自由時報)

 

 

 

這項研究也獲得了學界內頂尖的期刊認可,代表這不僅是磁性記憶體的突破,也為自旋電子學的發展帶來嶄新視野。目前技術也已經申請了美國、台灣和中國專利,希望他們能繼續努力,讓台灣發明在全世界都發揚光大!

來源:網路資料